磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

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篇1：磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

磁控溅射技术制备ZnO透光薄膜

采用RF磁控溅射方法,在玻璃衬底上制备了择优取向的`ZnO薄膜;通过台阶仪、X射线衍射技术、原子力显微镜和分光光度计分别测量了不同溅射功率条件下淀积的ZnO薄膜厚度(淀积速率)、结晶质量、表面形貌与粗糙度、透光光谱,报道了该薄膜结晶质量、薄膜粗糙度与其在可见光区透光率的关系.

作 者：俞振南 姜乐 熊志华 郑畅达 戴江南 江风益 YU Zhen-nan JIANG Le XIONG Zhi-hua ZHENG Chang-da DAI Jiang-nan JIANG Feng-yi  作者单位：南昌大学,教育部发光材料与器件工程研究中心,江西,南昌,330031 刊 名：南昌大学学报（理科版）  ISTIC PKU英文刊名：JOURNAL OF NANCHANG UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE) 年，卷(期)： 31(5) 分类号：O782+.9 关键词：ZnO   磁控溅射   透光光谱   粗糙度   溅射功率  

篇2：ZnO薄膜制备及其发光特性研究

ZnO薄膜制备及其发光特性研究

用射频磁控反应溅射法分别在未加热和加热的石英玻璃衬底上制备ZnO薄膜,在不同温度下进行退火处理,研究衬底温度、退火条件对其结构和发光性能的影响.通过对样品的.X射线衍射(XRD)、吸收光谱和光致发光(PL)光谱的测量结果表明,衬底温度为230 ℃、退火温度为400 ℃时样品结晶性能最佳,并具有最强的紫外光发射(380 nm).

作 者：王晶 张希清 梅增霞 黄世华 徐征  作者单位：北方交通大学光电子技术研究所,信息存储、显示与材料开放实验室,北京,100044 刊 名：光电子・激光  ISTIC EI PKU英文刊名：JOURNAL OF OPTOELECTRONICS・LASER 年，卷(期)： 13(11) 分类号：O484 关键词：ZnO薄膜   磁控溅射   光致发光(PL)  

篇3：纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

纳米ZnO薄膜制备及液态源掺杂

用真空蒸发法在玻璃和单晶硅片(100)上制备Zn薄膜,然后对Zn薄膜进行氧化、热处理获得纳米ZnO薄膜.对在硅片上制备的'Zn薄膜一次性进行高温掺杂、氧化获得纳米ZnO∶P和ZnO∶B薄膜.研究不同氧化、掺杂温度和时间对薄膜结构、电学性能的影响.结果表明:氧化温度和时间对ZnO薄膜结构影响较大,液态源掺P可明显改善纳米ZnO薄膜的导电性能、结构特性和化学组分.

作 者：李健 宋淑芳 季秉厚  作者单位：内蒙古大学理工学院,呼和浩特,010021 刊 名：真空科学与技术学报  ISTIC EI PKU英文刊名：VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY 年，卷(期)：2002 22(2) 分类号：O484 关键词：真空蒸发   纳米ZnO薄膜   液态源掺杂   氧化  

篇4：磁控溅射法制备氮化碳薄膜的研究进展

磁控溅射法制备氮化碳薄膜的研究进展

简要评述了磁控溅射法制备氮化碳(CNx)薄膜的研究进展的现状,以及磁控溅射法制备氮化碳(CNx)薄膜过程中工艺参数对薄膜的结构和性能的.影响,展望了氮化碳研究的发展趋势.

作 者：陈春 刘军 毕凯 陈志刚 李忠学 张兴国 CHEN Chun LIU Jun BI Kai CHEN Zhigang LI Zhongxue Zhang Xingguo  作者单位：陈春,刘军,李忠学,张兴国,CHEN Chun,LIU Jun,LI Zhongxue,Zhang Xingguo(江苏大学材料学院,镇江,21)

毕凯,BI Kai(镇江船艇学院,镇江,21)

陈志刚,CHEN Zhigang(江苏工业学院,常州,213100)

刊 名：材料导报  ISTIC PKU英文刊名：MATERIALS REVIEW 年，卷(期)： 19(z1) 分类号： 关键词：磁控溅射   氮化碳   薄膜  

篇5：直流磁控溅射法制备TiO2薄膜的研究

直流磁控溅射法制备TiO2薄膜的研究

论术采用直流磁控溅射法制备TiO2薄膜的实验研究. 研究了氧流量、基片温度对制备TiO2薄膜的影响, 并测量了薄膜的'晶相结构和表面形貌, 结果表明制备出了具有锐钛矿晶体结构的TiO2薄膜.

作 者：刘子丽 肖峻 蒋向东 孙继伟 LIU Zi-li XIAO Jun JIANG Xiang-dong SUN Ji-wei  作者单位：刘子丽,肖峻,LIU Zi-li,XIAO Jun(西南民族大学电气信息工程学院,成都,610041)

蒋向东,孙继伟,JIANG Xiang-dong,SUN Ji-wei(电子科技大学光电信息学院,成都,610054)

刊 名：西南民族大学学报（自然科学版）  ISTIC英文刊名：JOURNAL OF SOUTHWEST UNIVERSITY FOR NATIONALITIES(NATRUAL SCIENCE EDITION) 年，卷(期)： 35(6) 分类号：O48 关键词：TiO2薄膜   直流磁控溅射   氧流量   基片温度  

篇6：直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

直流磁控溅射一步法原位制备MgB2超导薄膜

用MgB2靶,控制直流磁控溅射工作在异常辉光放电或弧光放电状态,在SrTiO3衬底上原位一次性得到了MgB2超导薄膜,其起始转变温度为32K,零电阻温度为15K.

作 者：马平刘乐园 张升原 王昕 谢飞翔 邓鹏 聂瑞娟 王守证 戴远东 王福仁  作者单位：人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京大学物理系,北京,100871 刊 名：物理学报  ISTIC SCI PKU英文刊名：ACTA PHYSICA SINICA 年，卷(期)： 51(2) 分类号：O4 关键词：高温超导体   超导薄膜   磁控溅射   二硼化镁  

篇7：Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究

Sol-Gel法制备ZnO:Cd薄膜及结构特性研究

采用Sol-Gel法,结合旋转涂覆技术在Si(100)衬底上制备了ZnO:Cd薄膜,并对其在600～800 ℃热处理.X-射线衍射仪(XRD)结果表明,ZnO:Cd薄膜具有与ZnO同样的六角纤锌矿结构,且随着热处理温度的升高,(002)衍射峰的强度逐渐增强.峰半高宽(FWHM,ZnO(002))不断减小,并沿c轴择优取向生长;Cd掺杂后,未出现CdO或其他镉化物等杂质相,但在(002)峰-峰顶出现了分叉(多峰)现象.随着退火温度的升高,多峰消失,但这方面的报道甚少.扫描式电子显微镜(SEM)显示ZnO:Cd晶粒粒径分布情况及表面形貌特征.以石英为基片的透射光谱实验计算表明,ZnO:Cd薄膜的'禁带宽度平均为3.10 eV;800 ℃,x(Cd)=8%样品的禁带宽度为2.80 eV,比纯ZnO晶体禁带宽度(3.30 eV)明显减小,这说明适度掺镉可降低薄膜的光学禁带宽度.

作 者：陈瀚 邓宏 CHEN Han DENG Hong  作者单位：陈瀚,CHEN Han(电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054;四川机电职业技术学院,四川,攀枝花,617000)

邓宏,DENG Hong(电子科技大学,微电子与固体电子学院,四川,成都,610054)

刊 名：压电与声光  ISTIC PKU英文刊名：PIEZOELECTRICS & ACOUSTOOPTICS 年，卷(期)： 29(6) 分类号：O782 关键词：Sol-Gel法   光学禁带   透射光谱   ZnO:Cd薄膜  

篇8：射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性

射频反应溅射制备的ZnO薄膜的结构和发光特性

用射频反应溅射在硅(100)衬底上生长了c轴择优取向的ZnO薄膜,用X射线衍射仪、荧光分光光度计和X射线光电子能谱仪对样品进行了表征,分析研究了溅射功率、衬底温度对样品的结构和发光特性的'影响.结果表明,溅射功率100W,衬底温度300～400℃时,适合c轴择优取向和应力小的ZnO薄膜的生长.在样品的室温光致发光谱中观察到了380nm的紫外激子峰和峰位在430 nm附近的蓝光带,并对蓝光带的起源进行了初步探讨.

作 者：朋兴平王志光 宋银 季涛 臧航 杨映虎 金运范  作者单位：朋兴平(中国科学院近代物理研究所,兰州,730000;兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000)

王志光,宋银,臧航,金运范(中国科学院近代物理研究所,兰州,730000)

季涛,杨映虎(兰州大学物理科学与技术学院,兰州,730000)

刊 名：中国科学G辑  ISTIC PKU英文刊名：SCIENCE IN CHINA(SERIES G) 年，卷(期)：2007 37(2) 分类号：O6 关键词：ZnO薄膜   X射线衍射谱   光致发光谱   衬底温度   射频反应溅射  

篇9：直流磁控溅射有机衬底和玻璃衬底ZnO∶Al薄膜结构及特性的研究

直流磁控溅射有机衬底和玻璃衬底ZnO∶Al薄膜结构及特性的研究

利用直流磁控溅射法在有机薄膜衬底和普通玻璃衬底上制备出了具有良好附着性的'ZnO∶Al透明导电膜,对制备薄膜的结构和光学特性进行了比较研究.研究发现:铝掺杂的氧化锌薄膜是多晶膜,具有六角纤锌矿结构;在衬底温度为100℃,溅射压强1.0 Pa,氧氩比为1∶2.58时,ZnO∶Al薄膜具有(002)择优取向,晶化也比较好,在可见光区的平均透过率分别达到了77.6%和82%.

作 者：马康 王海燕 王子建 卢景霄 郜小勇 MA Kang WANG Hai-yan WANG Zi-jian LU Jing-xiao GAO Xiao-yong  作者单位：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室,河南省,郑州,450052 刊 名：真空  ISTIC PKU英文刊名：VACUUM 年，卷(期)：2007 44(6) 分类号：O484.4+2 关键词：有机衬底   氧分比   ZnO∶Al   晶化  

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