EB-PVD工艺中基板温度对材料形成过程的影响
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篇1：EB-PVD工艺中基板温度对材料形成过程的影响
EB-PVD工艺中基板温度对材料形成过程的影响
针对电子束物理气相沉积(EB-PVD)设备的特点,研究基板温度对材料形成过程的影响.首先建立薄膜生长的'基本扩散模型,然后用嵌入原子法(EAM)计算扩散激活能,以入射粒子跃迁概率表征入射原子在表面上的稳定程度,研究基板温度对低能Ni在Ni表面上扩散过程的影响.分别在较低(250～450K)和较高(750～1 000 K)两种温度下进行上述计算.研究结果表明,基板温度对跃迁概率的影响存在临界值,Ni为375 K;当基板温度低于375 K时,基板温度对跃迁概率影响很小,而当基板温度高于375 K时,跃迁概率随基板温度增加呈指数增长;基板温度较低(Ni低于375 K)时入射原子在表面上不扩散,易形成多孔疏松状材料,而较高的基板温度则有利于密实材料的形成.
作 者：单英春 赫晓东 李明伟 李 Shan Yingchun He Xiaodong Li Mingwei Li Yao 作者单位：哈尔滨工业大学复合材料与结构研究所,哈尔滨,150001 刊 名：宇航材料工艺 ISTIC PKU英文刊名：AEROSPACE MATERIALS & TECHNOLOGY 年，卷(期)： 36(1) 分类号：V25 关键词：EB-PVD 薄膜生长 基板温度 跃迁概率篇2：初始温度对O2等离子体形成过程的影响
初始温度对O2等离子体形成过程的影响
在O2等离子体物理化学模型的基础上,对不同初始温度下O2等离子体中的主要粒子的`形成过程进行了数值模拟,跟踪各种主要成分粒子浓度随时间的变化,得到了初始温度对等离子体主要带电粒子和中性粒子浓度的影响规律.计算结果表明:随着初始温度的升高,O2等离子体中各种主要成分粒子浓度的变化规律相似,粒子浓度变化趋势受初始温度影响不明显.e、O、O2、O+随时间增长浓度变化比较大,O-、O2-、O2+、O*、O2*等随时间增长浓度变化相对较小,但最终都达到一定的平衡状态.
作 者：王峰 何立明 兰宇丹 杜宏亮 作者单位：空军工程大学,工程学院,陕西,西安,710038 刊 名：空军工程大学学报（自然科学版） ISTIC PKU英文刊名：JOURNAL OF AIR FORCE ENGINEERING UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE EDITION) 年，卷(期)： 11(2) 分类号：V231.2 关键词：等离子体 粒子浓度 初始温度 化学反应 数值模拟篇3：基片及基片温度对Fe4N薄膜的形成及其特性的影响
基片及基片温度对Fe4N薄膜的形成及其特性的影响
以双离子束溅射法在(111)硅片和玻璃上分别制得了单一γ1-Fe4N薄膜,研究了基片及基片温度对薄膜的结构和磁性能的影响.结果表明,以(111)硅片为基片,可制得无晶粒择优取向的单一γ1-Fe4N相;而以玻璃为基片,在基片温度为160℃时,则可制得具有(100)面晶粒取向的.单一γ1-Fe4N相薄膜;与无晶粒择优取向的γ1-Fe4N相比较,具有(100)面晶粒取向的γ1-Fe4N相的矫顽力较低,易达到磁饱和,但二者的饱和磁化强度基本一致.
作 者：诸葛兰剑 姚伟国 吴雪梅 王文宝 作者单位：诸葛兰剑,王文宝(苏州大学,分析测试中心,江苏,苏州,215006)姚伟国,吴雪梅(苏州大学,物理系,江苏,苏州,215006)
刊 名：功能材料 ISTIC EI PKU英文刊名：JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS 年，卷(期)： 33(5) 分类号：O484 关键词：双离子束溅射 基片 γ1-Fe4N薄膜 晶粒取向篇4：工艺温度对丁羟推进剂力学性能的影响
工艺温度对丁羟推进剂力学性能的影响
研究了混合温度及固化温度工艺参数对高燃速HTPB/IPDI推进剂力学性能的影响,在现有的实验条件下随着混合温度升高,推进剂力学性能下降,固化温度升高,推进剂力学性能得到改善.
作 者：鲁国林 LU Guo-lin 作者单位：中国航天工业总公司四院四十二所,湖北,襄樊,441003 刊 名：固体火箭技术 ISTIC EI PKU英文刊名：JOURNAL OF SOLID ROCKET TECHNOLOGY 年，卷(期)：1999 22(3) 分类号：V512+.3 关键词：端羟基聚丁二烯推进剂 力学性能 工艺【EB-PVD工艺中基板温度对材料形成过程的影响】相关文章：
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