半导体有机半导体电学性能论文
“懒人”通过精心收集，向本站投稿了7篇半导体有机半导体电学性能论文，下面是小编收集整理后的半导体有机半导体电学性能论文，供大家参考借鉴，希望可以帮助到有需要的朋友。
篇1：半导体有机半导体电学性能论文
一、从有机半导体到无机半导体的探索
1.1有机半导体的概念及其研究历程
什么叫有机半导体呢?众所周知，半导体材料是导电能力介于导体和绝缘体之间的一类材料，这类材料具有独特的功能特性。以硅、锗、砷化嫁、氮化嫁等为代表的半导体材料已经广泛应用于电子元件、高密度信息存储、光电器件等领域。随着人们对物质世界认识的逐步深入，一批具有半导体特性的有机功能材料被开发出来了，并且正尝试应用于传统半导体材料的领域。
在1574年，人们就开始了半导体器件的研究。然而，一直到1947年朗讯(Lueent)科技公司所属贝尔实验室的一个研究小组发明了双极晶体管后，半导体器件物理的研究才有了根本性的突破，从此拉开了人类社会步入电子时代的序幕。在发明晶体管之后，随着硅平面工艺的进步和集成电路的发明，从小规模、中规模集成电路到大规模、超大规模集成电路不断发展，出现了今天这样的以微电子技术为基础的电子信息技术与产业，所以晶体管及其相关的半导体器件成了当今全球市场份额最大的电子工业基础。，半导体在当今社会拥着卓越的地位，而无机半导体又是是半导体家族的重中之重。
1.2有机半导体同无机半导体的区别及其优点
与无机半导体相比，有点半导体具有一定的自身独特性，表现在：
(l)、有机半导体的成膜技术更多、更新，如真空蒸镀，溶液甩膜，Langmtrir一Blodgett(LB)技术，分子自组装技术，从而使制作工艺简单、多样、成本低。利用有机薄膜大规模制备技术，可以制备大面积的器件。
(2)、器件的尺寸能做得更小(分子尺度)，集成度更高。分子尺度的减小和集成度的提高意味着操作功率的减小以及运算速度的提高。
(3)、以有机聚合物制成的场效应器件，其电性能可通过对有机分子结构进行适当的修饰(在分子链上接上或截去适当的原子和基团)而得到满意的结果。同时，通过化学或电化学掺杂，有机聚合物的电导率能够在绝缘体(电阻率一10一Qcm)到良导体这样一个很宽的范围内变动。因此，通过掺杂或修饰技术，可以获得理想的导电聚合物。
(4)、有机物易于获得，有机场效应器件的制作工艺也更为简单，它并不要求严格地控制气氛条件和苛刻的纯度要求，因而能有效地降低器件的成本。
(5)、全部由有机材料制备的所谓“全有机”的场效应器件呈现出非常好的柔韧性，而且质量轻。
(6)通过对有机分子结构进行适当的修饰，可以得到不同性能的材料，因此通过对有机半导体材料进行改性就能够使器件的电学性能达到理想的结果。
1.3有机半导体材料分类
有机半导体层是有机半导体器件中最重要的功能层，对于器件的性能起主导作用。所以，有机半导体器件对所用有机半导体材料有两点要求:
(l)、高迁移率；(2)、低本征电导率。
高的迁移率是为了保证器件的开关速度，低的本征电导率是为了尽可能地降低器件的漏电流，从而提高器件的开关比。用作有机半导体器件的有机半导体材料按不同的化学和物理性质主要分为三类:一是高分子聚合物，如烷基取代的聚噬吩;二是低聚物，如咪嗯齐聚物和噬吩齐聚物;三是有机小分子化合物，如并苯类，C6。，金属酞著化合物，蔡，花，电荷转移盐等。
二、制作有机半导体器件的常用技术
有机半导体性能的好坏多数决定于半导体制作过程因此实验制备技术就显得尤为重要。下面将对一些人们常用器件制备的实验技术做简要的介绍：
(1)、真空技术。它是目前制备有机半导体器件最普遍采用的方法之一，主要包括真空镀膜、溅射和有机分子束外延生长(OMBE)技术。
(2)、溶液处理成膜技术。它被认为是制备有机半导体器件最有发展潜力的技术，适用于可溶性的有机半导体材料。常用的溶液处理成膜技术主要包括电化学沉积技术、甩膜技术、铸膜技术、预聚物转化技术、分子自组装技术、印刷技术等。
三、有机半导体器件的场效应现象
为了便于说明有机半导体器件的场效应现象，本文结合有机极性材料制作有机半导体器件对薄膜态有机场效应进行分析。试验中，将有机极性材料经过真空热蒸镀提纯之后溶在DMF溶液中，浓度是20Omg/ml，使用超声波清洗机促进它们充分并且均匀的溶解，经过真空系统中沉积黄金薄膜作为器件的源极和漏极。在类似条件下，在玻璃衬底上制作了极性材料的薄膜形态晶粒，研究发现：
在有机极性材料形态，有块状、树枝状和针状。不同的薄膜态形态，在不同栅极电压VG的作用下有不同的Ids(流过器件的源极和漏极的电流)一Vds(加在器件的源极和漏极之间的电压)曲线。
1、块状形貌结构的薄膜态有机器件的Ids－Vds(性能曲线，变化范围是从－150V到15OV、栅极电压的变化范围是从－200V到200V。当栅极电压Vg以100V的间隔从－200V变化到200V时，Ids随着Vds的.增加而增加，此时没有场效应现象。
2、针状形貌结构的薄膜态有机器件的Ids－Vds性能曲线，当Vds从－75V增加到75V，栅极电压VG的变化范围是一200V~20OV，递增幅度是5OV。此时器件具有三种性能规律:(1)在固定的栅极电压Vg下，当从Vds－75V增加到75V时，电流Ids也随之增加;(2)在固定的外加电压Vds下，当栅极电压Vg从－2O0V增加到2OOV时，电流Ids也随之增加;(3)如果没有对器件施加Vds电压，只要栅极电压Vds存在，就会产生Ids电流，产生电池效应。
通过上述的解说我们对有机半导体器件的电学性能已有一定的了解了。下面我们即将通过试验来揭开其神秘的面纱。
四、有机半导体的光电性能探讨——以纳米ZnO线(棒)的光电性能研究为例
近年来，纳米硅的研究引起了社会的广泛的关注，本文中我们将采用场发射系统，测试利用水热法制备的硅基阵列化氧化锌纳米丝的场发射性能。图11是直径为30和100nm两个氧化锌阵列的场发射性能图,其中图11a和b分别是上述两个样品的I_V图和F_N图。从图11a中可以看出氧化锌纳米丝的直径对场发射性能有很大的影响,直径为30nm的氧化锌阵列的开启场强为2V/μm门槛场强为5V/μm;而直径为100nm的氧化锌阵列的开启场强为3V/μm,门槛场强大于7V/μm。并且从图11b中可以知道,ln(J/E2)和1/E的关系近似成线性关系,可知阴极的电子发射与F_N模型吻合很好,表明其发射为场发射,其性能比文献报道的用热蒸发制备的阵列化氧化锌的场发射性能要好[25]。这主要是由于氧化锌的二次生长,导致所得氧化锌阵列由上下两层组成,具有较高的密度以及较小的直径,在电场的作用下,更多的电子更容易从尖端的氧化锌纳米丝发射,从而降低了它们的开启场强和门槛场强。
我们测试了硅基阵列化纳米ZnO的光致荧光谱,如图12所示。从图中可知,600~700℃和300~400℃下热蒸发合成的阵列化ZnO纳米丝的峰位分别在393nm(虚线)及396nm(实线)。PL谱上强烈的紫外光的峰证明:合成的ZnO纳米丝有较好的结晶性能和较少的氧空位缺陷。由于在高温区合成的纳米丝有较细的尖端,故有少量蓝移。
通过上述针对纳米ZnO线(棒)的试验，我们能对硅基一维纳米的电学性能进行了初步的探讨。相信这些工作将为今后的硅基一维纳米材料在光电方面的应用提供一个良好的基础。
篇2：半导体照明相关研究参考论文
半导体照明相关研究参考论文
半导体照明这一新兴领域的出现，使同时专长于电力电子学、光学和热管理学（机械工程）这三个领域的工程师成为抢手人才。
目前，在三个领域都富有经验的工程师并不很多，而这通常意味着系统工程师或者整体产品工程师的背景要和这三大领域相关，同时他们还需尽可能与其他领域的工程师协作。系统工程师常常会把自己在原有领域养成的习惯或积累的经验带入设计工作中，这和一个主要研究数字系统的电子工程师转去解决电源管理问题时所遇到的情况相似：他们可能依靠单纯的仿真，不在试验台上对电源做测试就直接在电路板上布线，因为他们没有认识到：开关稳压器需要仔细检查电路板布局；另外，如果没有经过试验台测试，实际的工作情况很难与仿真一致。 在设计LED灯具的过程中，当系统架构工程师是位电子电力专家，或者电源设计被承包给一家工程公司时，一些标准电源设计中常见的习惯就会出现在LED驱动器设计中。
一些习惯是很有用的，因为LED驱动器在很多方面与传统的恒压源非常相似。这两类电路都工作在较宽的输入电压范围和较大的输出功率下，另外，这两类电路都面对连接到交流电源、直流稳压电源轨还是电池上等不同连接方式所带来的挑战。 电力电子工程师习惯于总想确保输出电压或电流的高精确度，但这对LED驱动器设计而言并不是很好的习惯。诸如FPGA和DSP之类的数字负载需要更低的核心电压，而这又要求更严格的控制，以防止出现较高的误码率。因此，数字电源轨的公差通常会控制在±1%以内或比它们的标称值小，也可用其绝对数值表示，如0.99V至1.01V。在将传统电源的设计习惯引入LED驱动器设计领域时，通常带来的问题是：为了实现对输出电流公差的严格控制，将浪费更多的电力并使用更昂贵的'器件，或者二者兼而有之。 成本压力 理想的电源是成本不高，效率能达到100%，并且不占用空间。电力电子工程师习惯了从客户那里听取意见，他们也会尽最大力量去满足那些要求，力图在最小的空间和预算范围内进行系统设计。在进行LED驱动器设计时也不例外，事实上它面对更大的预算压力，因为传统的照明技术已经完全实现了商品化，其价格已经非常低廉。所以，花好预算下的每一分钱都非常重要，这也是一些电力电子设计师工程师被***惯“引入歧途”的地方。 要将LED电流的精确度控制到与数字负载的供电电压的精度相同，则会既浪费电，又浪费成本。100mA到1A是当前大多数产品的电流范围，特别是目前350mA（或者更确切地说，光电半导体结的电流密度为350mA/mm2）是热管理和照明效率间常采纳的折衷方案。控制LED驱动器的集成电路是硅基的，所以在1.25V的范围内有一个典型的带隙。要在1.25V处达到1%的容差，亦即需要±12.5mV的电压范围。这并不难实现，能达到这种容差或更好容差范围的低价电压参考电路或电源控制IC种类繁多，价格低廉。当控制输出电压时，可在极低功率下使用高精度电阻来反馈输出电压（如图1a所示）。为控制输出电流，需要对反馈方式做出一些调整，如图1b所示。这是目前控制输出电流的唯一且最简单的手段。图1a：电压反馈；图1b：电流反馈深入研究之后，就会发现这种做法的一个主要缺点是：负载和反馈电路二者是完全相同的。参考电压被加在与LED串联的一个电阻上，这意味着参考电压或LED电流越高，电阻消耗的功率越大。
篇3：半导体物理教学论文
半导体物理教学论文
摘要
知识、技能、情感、态度是研究性学习不可或缺的四要素，当然，对主体性和创造性价值的培养也同样重要,以此方式促进教师向以学生为主体这一现代教学理念的转变。我们将研究性学习思想引入到半导体物理的教学活动中，来探讨研究型学习教学模式对学生学习方式与学习兴趣的影响。
关键词
研究性学习；半导体物理；微电子技术；教学
前言
微电子技术已经发展的越来越广泛，已经应用到生活中的各个领域。随着半导体、集成电路技术的发展的越来越快，继续研究半导体基础理论是非常重要的。目前,大多数高校工科学生现在都重视做实验而忽视了理论的发展,而对于微电子学专业的学生来说,是重视电路的设计而忽视了半导体的发展，所以，学生学习半导体物理的积极性并不高,这与教学课程设计有很大的关系，教学中理论联系实际缺乏，教学方法单一等都是造成学生积极性不高的原因。而半导体物理是微电子学专业一门重要的专业基础课，主要内容包括能带的概念、本证光谱和能带结构、杂质电子态、载流子运输、半导体表面和界面、非晶态半导体、非平衡载流子和运动规律等基本概念和理论，这些知识为学生后面进行相关学科的学习奠定了基础。在半导体物理的专业实验课上开展诸如半导体电阻率、非平衡少数载流子寿命、电容电压特性和霍尔迁移率测量等简单的测试性实验。在实验过程中，实验的操作和实验数据的处理过于简单化，而且，实验时长安排不妥，学生往往用不到一半的时间就可以完成全部内容，所以，实际上，学生在实验过程中收获的并不是很多。综上所述，在半导体物理的教学过程中还存在一些不足需要改进，内容如下:
（一）基础知识掌握不牢固。半导体物理涉及的内容包括固体物理、量子力学等多门学科。这样学生所学知识点变得更多，头绪不清，不知道什么是重点，对基本概念的理解更是不清不楚，且不能将所学的知识融会贯通。
（二）教材上的内容不能随发展而变。也就是说教材的教学内容更新已经跟不上半导体相关科学知识的飞速发展。因为半导体学科领域极速发展,不断涌现新理论和新成果。
（三）教学枯燥无味。只靠教师口述教学内容会让学生感觉内容枯燥、缺乏学习兴趣。教学内容抽象化学生被强加灌输知识，导致学习者在学习方面缺乏主动性和创造性。
（四）学生自主学习主管能动性差。现在的教学模式显得被动、单一，这样的教学模式只会导致学生学习兴趣不高，自主学习和主动探索的能力差。
（五）学生动手能力差。实验课的设置较少，学生动手的机会也就少了，导致学生缺乏创新精神。半导体物理的学习强调理论与实验相结合，但目前开展的实验内容单一、实验环节固化，感觉不到学生对实验的融入，不仅无法引起学生学习理论课的兴趣，也无法达到训练学生创新性的目的。我们探索并实践了将研究性学习思想引入到半导体物理的教学活动中，重视主体性和创造性价值的培养。以此方式来解决目前半导体物理教学中存在的这些问题，具体的改革如下：
一、教师教学观念的转变是实施研究性学习的前提
半导体物理的特点是概念多，理论多，物理模型抽象，不易理解，在课本上上学习，学生会感到内容枯燥，缺少直观性和形象性，学习起来比较困难。因此，教师想尽其所能改变传统的教育方式，在教学中进行专题讲座、分组讨论、充分利用PPT，flash等多媒体软件，安排学生针对具体研究问题进行研究实践等教学形式，转变教学观念，改变学习方式和状态，把学生置于学习的主体地位，创设使学生主动参与的教学情景，激发学生学习的主动性。
二、加强课程建设，根据专业特点及科技发展的需要
合理的安排教学内容，讲课内容做到丰富、全面，知识点讲解透彻，同时了解行业发展动态半导体物理学教材采用刘恩科主编的《半导体物理学》第七版，结合我校微电子学专业的具体情况，我们对该书的课内精讲教学内容进行了整合。首先把握好整体知识结构,在此基础上突出教学重点。
（一）首先做好先修知识的衔接半导体前五章为理论基础的部分，主要讲述了半导体中的电子状态，杂质和能级缺陷，载流子的统计分布，半导体的导电性与非平衡载流子，在此基础上阐述了电子的有效质量，费米能级，迁移率，非平衡载流子寿命等基本概念。第一章和第四章的知识点包括晶体结构、晶面、晶向、晶格振动、能带理论等，讲授新课之前将涉及到的知识点让学生课下进行自主学习。如果有不理解的内容可通过课下答疑的方式进行辅导。
（二）重要的知识要精细解读教师在课堂授课的时候要明确本次课程学习的主线，在主线中穿插重要的概念和主要知识点，复杂公式详细的推导过程被弱化，力求想法清楚、定义明确、难点清晰。比如在教师教授第三章的课程时，学习载流子浓度，应该让学生清楚的明白要先计算的是状态密度，然后再计算费米分布函数或者玻尔兹曼函数，最后计算出平衡时的空穴和电子的浓度。
（三）最新的知识扩充因为非常迅速发展的.现代半导体技术，以及不断拓展的技术研究方向，半导体领域的相关知识更新也很快，因此，与时俱进是教师应该做到的，时刻关注研究热点与科技前沿，更要将教学内容合理安排。对于本书中的第七章、第九章和第十章书本上的知识点不过多讲解，只做基础的介绍即可，主要讲解基本理论和基本概念，比较难的内容只做一般性的了解。教师要合理取舍教学内容，与其他课程的重叠内容要压缩，更要将教材中的陈旧知识删除。
（四）实验内容和方式的转变为调动学生实验的积极性，增加难度，我们将工艺实验中得到的产品用到测试实验中，既能够验证工艺实验的成果，也能够分析更多的实验参数，达到将理论课和实验课内容更好结合的目的，还能锻炼学生对实验数据分析和处理的能力。在实验方面也进行了研究性学习的探索，努力引导学生进行研究性实验。
三、引入研究性学习思想，培养学生文献调研能力
网络是知识的海洋，让学生利用网络来学习半导体物理相关资料提高自主学习性以及运用所学的知识进行自主创新的能力是非常重要的。把学生被动式学习的模式转化为以学生为主导的教学方式，让学生融入所设问题的情景中，引出科研中遇到的问题，并对某些问题进行讨论。在文献调研的过程中，让学生充分、及时地了解半导体产业发展的相关动态，学会“详读”和“粗读”文献，多多积累文献中涉及到半导体物理的知识，加强对课堂所学内容的理解，激发学生的创新思维。读过文献后要做出相应的总结汇报，可以以PPT的形式给出，方便其他人对文献的理解，学生也可以尝试到作为一名老师的感觉。这样师生互换角色，在教师的引导下使学生成为富有主动性的探究与学习者。四将科研融入到教学中把科研和教学结合起来，让学生明白自己学习的知识可以具体应用到生产生活的哪些方面。我们可以做的有：
（1）针对课堂教学中讲到的半导体中的物理现象或者概念应用到某一个器件的制造中，激励学生通过课程设计过程的方式参与到学院老师的项目中，通过具体的研究工作，将研究结果撰写成研究论文。
（2）将已取得的科研成果作为新的教学内容，充实到教学中去，使课堂上所讲的知识和我们实际的工业生产、生活联系起来，远离以往单一、抽象、枯燥的教学，使学生带着问题来学习新知识，鼓励学生参与真实科研项目的研究。以这两种方式提高学生了解问题、剖析问题的能力，让学生积极参与其中，把抽象的东西实物化，教学效果非常明显。综上所述，我们将以更新教学内容、改变教学观念、注重实验、实践教学、培养学生的创新精神为目的进行半导体物理的课程改革来解决教学过程中存在的一些问题。
参考文献
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篇4：有机半导体NTCDA的合成及结构表征
有机半导体NTCDA的合成及结构表征
叙述了利用1,8萘二甲酸二钠为原料制备高纯1,4,5,8-萘四甲酸二酐的方法,通过红外光谱、核磁共振谱、X-射线衍射谱对其结构进行了表征,并通过紫外-可见光光谱分析了其光吸收特性.
作 者：李建丰 孙硕 董茂军 胥超 肖剑 张福甲 LI Jian-feng SUN Shuo DONG Mao-jun XU Chao XIAO Jian ZHANG Fu-jia 作者单位： 刊 名：功能材料与器件学报 ISTIC PKU英文刊名：JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES 年，卷(期)： 13(6) 分类号：O621.15 关键词：有机半导体材料 合成 结构表征篇5：表面光电压谱(SPS)在有机半导体材料研究中的应用
表面光电压谱(SPS)在有机半导体材料研究中的应用
简要介绍了表面光电压谱(SPS)的几种常用测试方法和测试原理,通过典型实例说明了SPS技术在研究有机半导体电子结构、有机半导体薄膜的光电性能与制备方法的关系、半导体异质结性能等方面的应用.评述了SPS技术在研究酞菁氧钛/偶氮绿丹蓝复合材料的光电性能中发现的'光伏极性反转新现象.展望了SPS方法在有机半导体材料光电功能研究中的应用前景.
作 者：曹健 汪茫 孙景志 周雪琴 作者单位：浙江大学高分子科学与工程系,硅材料国家重点实验室,浙江，杭州，310027 刊 名：功能材料 ISTIC EI PKU英文刊名：JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS 年，卷(期)： 33(3) 分类号：O621.21 O472 关键词：表面光电压谱 有机半导体 电子态篇6：铁电半导体碘硫化锑量子点复合材料及其光学性能的研究
铁电半导体碘硫化锑量子点复合材料及其光学性能的研究
用溶胶-凝胶法成功地制备了铁电半导体碘硫化锑(SbSI)微晶掺杂有机改性的TiO2薄膜及块状凝胶.铁电SbSI晶体在C轴具有非常大的介电常数,非常高的.电-光系数,较大的光电导系数,同时又是一种本征半导体材料.将SbSI掺杂到非晶态的基质中,通过热处理及气氛保护的方法控制微晶的生长.通过X射线衍射光谱与高分辨透射电子显微镜观察到微晶的存在以及晶体尺寸和分布情况.使用简并的四波混频的方法测得了薄膜样品的三阶非线性极化率,并在块状样品中发现了复合材料中存在的电控双折射效应,测得样品的有效电光系数为2.42×103nm/V.
作 者：叶辉 Xu Yuhuan Mackenzie J D 作者单位：叶辉(浙江大学现代光学仪器国家重点实验室,杭州310027)Xu Yuhuan,Mackenzie J D(Department of Materials Science and Engineering, University of California,Los Angeles, CA 90095, USA)
刊 名：光学学报 ISTIC EI PKU英文刊名：ACTA OPTICA SINICA 年，卷(期)：2002 22(12) 分类号：O472+.3 关键词：碘硫化锑 铁电半导体 有机改性 电光效应 光学非线性篇7：各国在半导体业发展中的政策与启示论文
各国在半导体业发展中的政策与启示论文
半导体产业作为尖端技术及高附加价值产业对于其他产业的影响极大，是在整个国民经济中拥有巨大战略意义的症结性技术产业，因而世界各国政府都将其视为国家的骨干产业。国家想走在世界经济的前列或者是为了I卫国家安全,都必需要进入这个耗资巨大而又发展极其迅速的技术领域。
在其中，政府干预的影子在世界各国的半导体产业发展中随处可见。不管是半导体产品的钻研开发、出产制造，或者是与他国半导体产品的贸易，>文秘站:<政府对半导体产业都具有深远的影响。
各发达国家的产业政策比较
一.美国 美国是半导体技术的起源地。
半导体发展的原始目的主要在于支撑国防业以及宇航业，确保美国能取得最早进的武器系统以及宇航局具有最精密的操作节制装备。因为这两个行业是半导体产品的主要需求者，从而抉择了半导体行业发展的最初方向以及性质。事实表明，美国的采购对于美国半导体业的初期发展拥有抉择性的影响，为其后来长时间处于世界领先地位奠定了坚实基础。但二0世纪八0年代美国作为半导体的主要出产商在全世界的位次大幅度降落，这样的衰退被良多美国人认为是对于国家军事安全以及经济的严重要挟，不少人将其归咎于美国政府微电子产业的政策方向。
为了应答这类状态，除了美国政府继续以巨大的国防支出来资助半导体业的研发外，一九八七年美国半导体协会成立。美国政府亦在贸易领域出台了1系列政策以支撑其半导体产业的发展，如一九八六年美国政府与日本签定了《半导体协议》，缘由是美国声称日本出产商以超低价格向美国倾销芯片并限制美商进入日本国内市场。双方最初签定的公约于一九九一年到期后，美国政府又就该协议在下＿个5年中的施行问题与日本政府商量。而这次谈判的重点则是请求日本市场对于美国半导体出产商敞开大门。但是必需指出的是美国政府因从国防安全角度动身1直严格节制其尖端核心半导体装备的出口。但是跟着时期的发展，半导体技术的广泛渗入性所酿成的日趋扩展的国际市场不是由哪几家企业或者哪几个国家可以全体垄断的。美国政府较为严格的出口限制必将影响到美国半导体出产商在国际市场上的竞争力。
二.日本 在日本，半导体产业政策的重心是半导体在工业以及消费领域中的利用。
在日本半导体业发展中，为全面改变最初其技术依附于欧美的弱势地位, 日本的MITI施展了强大的引导作用，为日本半导体企业的有序竞争构建了有效框架。分析其政策沿革，演化进程大体上阅历了下列几个阶段。枋恰兜缱庸ひ嫡裥肆偈贝胧┓ā罚简称“电振法”）于一九五七年制订。其颁布施行有效地增进了日本企业在学习美国先进技术的基础上，踊跃发展本国的半导体产业。2是《特定电子工业及特定机械工业振兴临时措施法》于一九七一年制订。该法进1步秉持了“电振法”的'主旨，强化了发展以半导体为代表的电子产业的力度。该法的施行胜利地匡助日本企业通过加强本身研发、出产能力，有效地抵抗了欧美半导体厂商的冲击，进而使日本半导体制品不断走向世界。3是《特定机械情报产业振兴临时措施法》在一九七八年制订（于一九八五年失效）。该法进1步加强了以半导体为核心的信息产业的发展。上述3部专业法规在整体上加强了日本企业的竞争力。尔后日本没有颁布针对于以半导体为基础的电子、信息产业的专门法规，而是改成通过综合性法规在总体上推进包括半导体在内的高新技术的发展，其中较为首要的是于一九九五年出台的《科学技术基本法》。
MITI还通过限制外商在日本半导体产业的投资以及请求通过直接购买方式来获取技术从而防止了日本在技术上遭到他国的节制以及安排。直到二0世纪七0年代末，日本政府1直奉行着严厉的产业维护政策，包含进行严格的进口管制。对于于外国企业在半导体领域的对于日投资，日本政府也1直采用严格的审批轨制，并附以制止设立独资企业、外国企业的所有专利技术需向合资公司公然等刻薄前提，而这些措施直到一九七五年才被放宽。以后，日本政府的政策略微有所放松，但日本在微电子竞争中拔患上头筹的雄心壮志涓滴没有减弱。无比显明的1个例子就是由MITI提议的大范围综合项目VLSI的施行。这个由日本政府出资四0%的项目使日本5大半导体公司在1起通过合作共同研发更繁杂先进的新1代技术产品。此外,日本外贸组织JETO通过其在全世界五五个以上国家所设有的分支机构为日本半导体出产商提供有关行业的最新资讯，有力的增进了科技信息的沟通与传布。同时在融资上，日本政府主要应用国家开发银行动半导体企业提供低利贷款，使企业借贷利率接近于零，这与美国同时代市场利率四%⑸%相比较，堪称是拥有极大优势。
三.韩国 韩国相比美、日，韩国政府对于半导体产业的介入力度似乎更大了一些。
韩国政府通过量种渠道去培育以及促使韩国大企业进入半导体领域。一九七六年政府成立了韩国电子技术学院（KIET），其主要职责是“规划与调和半导体R&D、进口、吸收以及传布国外技术，为韩国企业提供技术支撑，进行市场调研”。一九八二年，“长时间半导体产业增进规划”宣布启动，韩国政府为4大主要半导体企业提供了大量的财政、税收优惠。一九八六年，韩国政府制定了半导体信息技术开发方向的投资规划，每一年向半导体产业投资近亿美元。“政策经济”的结果是韩国半导体市场的发展至关使人鼓舞。在欧、美地区双双衰退的情况下，韩国半导体产业二00二年产值反而从九五.八亿美元增至一一二亿美元，同比增长了一七％。尽人皆知，韩国半导体产业高度集中于记忆体领域，因为经营记忆体的财团违后有着政府气力的强力支持，因而尽管目前市场在供给多余的压力下利润已经渐趋淡薄，但3星、南亚科技等韩国企业凭仗其范围效益，仍成为全世界少数获利的记忆体厂商。
四.欧洲 欧洲继美国以及亚洲以后，第3大半导体出产基地当数欧洲。
西欧的半导体产业政策的演化可大致分为3个阶段：第1阶段是一九六五年前，除了政府对于与国防相干的R&D进行投资以及在政府采购中倾向于本国出产商外，基本上不存在政府对于半导体业发展的干预行动；第2阶段，一九六五年至一九七五年，欧洲政府无比注重计算机行业，对于半导体的科研给予了1些鼓励措施，但政府的介入仍有至关的局限性；第3阶段，自一九七五年以后，欧洲各国政府逐步加大了对于半导体产业的支撑力度，政策重心更集中于信息技术包含微电子方面。进入八0年代后，欧洲各国政府踊跃推进半导体产业重点企业的合作与发展，例如ESPRIT以及JESSI项目。其中,后者耗资四亿美元，主要致力于开发先
进的微芯片技术。另外,西欧各国政府还联合向非欧洲的半导体制造商施压，请求他们不能仅仅是在欧洲进行加工组装业务，而是更多的设立设计与技术部门。其目标则是但愿通过1系列措施，能加速欧洲半导体的技术立异，激励欧洲内部各国半导体企业间的交换与联络，从而在必定程度上维护欧洲本土的半导体核心技术和出产竞争力。
欧盟委员会也进1步加强了维护其半导体工业的力度。一九九0年欧盟与日本政府签署了1个自愿协定，规定了日本出产的标准存储器片在欧洲共同市场上的最低售价。另外，欧盟委员会还向韩国半导体商采用了反倾销措施。缘由是韩国倾销的芯片价格大大低于欧盟的可接受价格。一九九七年，最低售价又被再次强加到日本以及韩国的一四个半导体芯片制造商身上。二00三年欧盟在断定韩国政府不公平地向芯片厂商现代半导体公司提供补贴后随即抉择向现代半导体公司的内存芯片征收三四.八%的进口关税。
对于我国的启示与我国的对于策措施
从上文中咱们可以看出,不管是美国、欧洲仍是日本、韩国，没有1个国家的政府对于半导体产业的发展采用放任政策，而是通过1系列政策手腕进行扶植。即便是同1国家，政府在半导体工业发展的各个时代都制定了不同的策略。我国的半导体产业整体水平与这些发达国家比较，在出产能力、装备水平、开发手腕、工艺水平、产品技术指标、市场开辟等方面均存在很大差距。中国本土芯片制造企业目前只能知足芯片市场大约二0%的需求量，而其他近八0%的需求都不能不通过进口产品来补充。与此同时，中国所有半导体企业的总销售额仅占世界半导体总销售的一.五%。因此我国应通过鉴戒美国、日本等发达国家和韩国、欧洲的发展经验，并结合中国半导体业现阶段发展示状，明确在半导体领域的定位以及战略，并相应的改良或者调剂该产业的政府管理模式以及政策体系，以更好的增进中国半导体产业的发展，晋升我国半导体产业的国际竞争力。为此，我国政府还应在政策层面长进行进1步的深化改革。
一．中国应采用更为优惠的政策，构成优良的投资环境吸引外资更多投入到中国半导体产业。
美国、日本及韩国都是依托优惠的政策引导投资方向，使大量的资金涌入到半导体高技术领域，以加快产业结构向知识经济转变的步伐。我国目前也采用了1系列优惠性措施，比如二000年国务院颁布的《激励软件产业以及集成电路产业发展的若干政策》中规定，如果投资树立1个半导体产业，国家要跟进投资，如果申请银行贷款，国家将补贴一%到五%的利率。我国应制定比其他国家更具吸引力的政策，从而吸引更多投资以及技术进入这1国家战略产业，例如要学习韩国充沛应用入世三到五年的缓冲期维护幼稚产业的公道办法，对于半导体集成电路产业以及半导体产品在WTO框架内给予更多的优惠激励政策。
二．在短时间内，可以鉴戒走引进、消化、吸收、赶超的门路，重点发展市场需求大的半导体合用技术以及产品，通过技术改造、资本累积以及市场开辟的互动实现半导体产业水平的转动发展。
在引进投资时，要注意选准市场主体产品，引导企业进入高附加值市场。但从长时间来看，咱们应鉴戒日本半导体企业奉行的自行设计、自行出产的原则，树立起设计与出产“1条龙”的行业体系，以官方为主导共同联合出产技术的发展战略，开发更多症结技术，增添具有自主知识产权半导体产品的比例。固然如果大企业技术合作的目标是开发商品，这样做因为利益冲突难获胜利。要学习美国、日本，先合作钻研开发技术，大企业自己再弄商品化，合作开发才可能胜利。除了了大公司间进行技术亲密合作外，还可以参考美国半导体工业主要由技术密集型中小企业形成的特色，踊跃激励国内的民营企业以及民营资本介入到半导体工业相干材料与装备钻研制造上来。这是由芯片制造进程对于装备、材料请求的多样性、繁杂性和产品快速更新的特色所抉择的。
三．良多半导体业内人士1谈及发展半导体的症结因素时，不谋而合的认为是人材。
目前我国发展半导体产业最缺少的就是人材，既包含技术人员，也包含半导体企业有经验的中高阶主管。咱们应学习马来西亚等东南亚国家的发展经验，制订高工资、低（零）个人所患上税的人材吸引政策，吸引海外半导体设计、制造、管理专家来华工作。对于少数高科技设计人员以及工艺技术人员采用高薪聘任，乃至给予更优惠的待遇，比如可持有企业股分等。同时决不可忽视对于技术人材的培育，为基层功课员、技工、工程师提供较好的专业素质培训，这对于1个以出产为导向的半导体企业来讲也是相当首要的。
四．加入国际同盟是解决资金、人材以及技术不足的有力途径，是半导体产业发展的趋势。
咱们应当应用外商看好中国市场的时机，采用多种情势加入国际半导体同盟。应当加强与国外同行的联络，争夺通过1些项目在中国落户，快速地提高咱们的技术水平，创造共赢的局面；踊跃介入真实的国际分工与合作，捉住国际产业转移机会，扩展应用国际投资的能力，全面提高中国半导体产业的产业素质。
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